سرعت حافظههای فلش UFS 3.0 افزایش می یابد
درحالیکه استفاده از حافظههای فلش UFS رفتهرفته فراگیر شده است، گفته میشود سرعت نسخهی سوم این نوع حافظه به ۲.۴ گیگابیت بر ثانیه میرسد.
هرساله سازندگان تراشههای مختلف از جدیدترین پردازندههای خود رونمایی میکنند که نسبت به نسل قبلی عملکرد بهتر و مصرف کمتری دارند؛ اما پردازندهها تنها عامل عملکرد خوب محصولاتی چون گوشیهای هوشمند نیستند. یکی دیگر از مهمترین عوامل مؤثر در سرعت و عملکرد بدون مشکل دستگاههای مختلف را باید انواع حافظههای بهکاررفته در آنها بدانیم.
در سالهای اخیر کمپانیهای مختلف تلاش کردهاند از حافظههای فلش UFS 2.0 و UFS 2.1 در محصولات خود استفاده کنند که بهمراتب سرعت خواندن و نوشتن بیشتری ارائه میکنند. از همین رو باید در آینده شاهد عرضهی حافظههای UFS 3.0 باشیم که گفته میشود نسبت به UFS 2.1 دو برابر سرعت بیشتری دارند.
مؤسسهی JEDEC Solid State Technology پیشبینی کرده است که حداکثر سرعت حافظههای UFS 3.0 از ۱.۲ گیگابیت بر ثانیه در حافظههای UFS 2.1 به ۲.۴ گیگابیت بر ثانیه برسد. گفته میشود نسل جدید حافظههای فلش، نیمهی دوم سال ۲۰۱۸ عرضه خواهند شد.
در حال حاضر چندین سایت تایوانی و چینی شامل Benchkife.info و CTimes گزارش کردهاند که فرایند دریافت لایسنس حافظههای UFS 3.0 آغاز شده و کمپانی تایوانی Phison کار روی کنترلر UFS 3.0 را شروع کرده است.
با این اوصاف به نظر میرسد نسل جدید حافظههای پرسرعت حالت جامد طبق برنامه سال آینده وارد بازار خواهد شد. بنابراین میتوانیم شاهد انواع گوشی، تبلت و دستگاههایی باشیم که از تکنولوژی جدید بهره میبرند و بهمراتب سریعتر هستند.
با اینکه مدتی است حافظههای فلش UFS 2.0 و UFS 2.1 در بازار عرضه شدهاند، اما هنوز برخی محصولات از حافظههای کندتر و ارزانتر eMMC بهره میبرند.
منبع:zoomit